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img 질의&응답
제목 [답변] GaAs, InGaAs 물질이 xrd 에서 나타나는 고유각도?
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작성자 kimcs306 작성시간 2008-07-11 13:34:30 조회 9999
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첨부파일 첨부파일없음
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에피층의 조성을 구하기 위해서는 에피층과 기판과의 각도 차이를 알아야합니다. 일반적으로 InGaAs/GaAs에서 에피층과 기판과의 각도차이는 상당히 작기 때문에 고분해능 XRD 를 이용하여 측정 분리할 수가 있습니다. 기판과 에피층이 서로 격자 정합을 이루는 경우에 측정은 주로 기판인 GaAs (004) 회절면에 대하여 이루어지고 있고 이 면이 나타나는 브래그 각도는 대략 33.12도 정도 입니다. 그 각도 주위에서 로킹커브를 측정하게 되면 기판과 에피층의 (004) 회절면에 대한 두개의 피크를 얻을 수가 있고 이것을 분석하여 In 의 조성에 관한 정보를 얻을 수 있게됩니다. 로킹커브로 부터 조성을 구하는 문제는 또 다른 영역이고 많은 이해가 필요합니다.

자세한 사항은 X-선 회절 측정클럽의 자료실에 가면 도움을 받을 수 있을겁니다.

김창수

>Wrote By 셀로 -----------------------------------
>GaAs 기판위에 버퍼층을 성장시키고 InGaAs 를 약 300nm 정도 성장시키고 위에 cap 층으로 1nm 정도를 성장시켰습니다.
>
>xrd 측정을 통해 이 샘플 InGaAs 의 조성비를 구해보고자 하는데요..
>
>측정하려고 하니, 미리 GaAs 나 InGaAs 가 xrd 에서 peak 이 나타나는
>
>각도 값이 필요하다고 하더라구요..
>
>검색능력이 부족해서.. 논문을 찾아봐도 보이지가 않네요 ㅠㅠ
>
>도와주세요..ㅠ
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